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模擬電路設(shè)計(jì),24V升壓電路圖詳解
2022-11-22
模擬電路設(shè)計(jì),24V升壓電路圖詳解24v升壓電路圖（一）基于串聯(lián)模式的24V轉(zhuǎn)75V升壓電源的設(shè)計(jì)以PAF600F24-28電源模塊為核心，采用輸入并聯(lián)輸
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電容充電電路工作原理及計(jì)算介紹
2022-11-22
電容充電電路工作原理及計(jì)算介紹與純電阻電路不同，具有電容的電路中的電壓不會(huì)立即進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。當(dāng)我們把電壓源施加到下圖RC 電路中，然
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怎么計(jì)算開關(guān)電源Y電容
2022-11-21
怎么計(jì)算開關(guān)電源Y電容開關(guān)電源Y電容作用Y電容用來消除共模干擾。分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出現(xiàn)，濾除
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詳解RC充電和放電時(shí)間計(jì)算介紹
2022-11-21
詳解RC充電和放電時(shí)間計(jì)算介紹RC與RL充放電時(shí)間常數(shù)RC充放電時(shí)間常數(shù)串聯(lián)RC電路的時(shí)間常數(shù)是一個(gè)固定的時(shí)間間隔，等于電阻和電容的乘積。其
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電路設(shè)計(jì),過流保護(hù)自恢復(fù)電路圖解析
2022-11-21
電路設(shè)計(jì),過流保護(hù)自恢復(fù)電路圖解析具有自恢復(fù)功能的過流保護(hù)電路具有自恢復(fù)功能的過流保護(hù)電路這款無電流取樣的過流保護(hù)電路具有短路點(diǎn)撤
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N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門電路詳解
2022-11-19
N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門電路詳解導(dǎo)電溝道機(jī)理：如果外部不加控制電壓就有導(dǎo)電溝道的是耗盡型。如果需要外部加控制電壓才有導(dǎo)電溝道的是增
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共源級(jí)MOS管飽和區(qū)小信號(hào)增益解析
2022-11-19
共源級(jí)MOS管飽和區(qū)小信號(hào)增益解析作為放大器，其最重要的功能就是在大信號(hào)的支持下且保證一定精度時(shí)強(qiáng)調(diào)對(duì)小信號(hào)的增益。本文介紹一個(gè)公式
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MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹
2022-11-19
MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹如何降低供電電壓下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動(dòng)之后，輸出低電壓
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MOSFET測(cè)試,什么是雙脈沖測(cè)試解析
2022-11-18
MOSFET測(cè)試,什么是雙脈沖測(cè)試解析通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特
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雙脈沖測(cè)試電路原理及波形示意圖介紹
2022-11-18
雙脈沖測(cè)試電路原理及波形示意圖介紹功率器件的很多動(dòng)態(tài)參數(shù)可以從器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲取，但是器件手冊(cè)只給出特定測(cè)試條件下的動(dòng)態(tài)參數(shù)。當(dāng)
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MOSFET失效模式,dv/dt失效是什么
2022-11-18
MOSFET失效模式,dv dt失效是什么dv dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造
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dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響介紹
2022-11-17
dV dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響介紹MOSFET的dv dt是指開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOS