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基于NMOS的雙向電平轉(zhuǎn)換電路實(shí)例介紹
2023-02-07
基于NMOS的雙向電平轉(zhuǎn)換電路實(shí)例介紹NMOS雙向電平轉(zhuǎn)換電路雙向電平轉(zhuǎn)換電路，如下圖所示，是 NMOS管雙向電平轉(zhuǎn)換電路,R2和R3可根據(jù)實(shí)際情
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電壓,電流采樣電路,放大倍數(shù)計(jì)算介紹
2023-02-07
電壓,電流采樣電路,放大倍數(shù)計(jì)算介紹FOC運(yùn)算需要用到電機(jī)的線電流值和母線電壓值，所以ADC采樣功能必不可少。但是單片機(jī)的IO口輸入電壓范圍
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運(yùn)放電流檢測(cè)電路,高端檢測(cè),低端檢測(cè)電路介紹
2023-02-06
運(yùn)放電流檢測(cè)電路,高端檢測(cè),低端檢測(cè)電路介紹運(yùn)放電流檢測(cè)，檢測(cè)方式有高端檢測(cè)和低端檢測(cè)兩種運(yùn)放電路。高端運(yùn)放電流檢測(cè)優(yōu)點(diǎn)：可以檢測(cè)區(qū)
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電池包電壓檢測(cè)電路圖介紹
2023-02-06
電池包電壓檢測(cè)電路圖介紹設(shè)計(jì)一個(gè)電池包電壓檢測(cè)電路，并不是直接電阻分壓后傳入單片機(jī)的 AD 檢測(cè)口就好了，還需要考慮一個(gè)問(wèn)題：檢測(cè)電
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輸出電壓的欠壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹
2023-02-06
輸出電壓的欠壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹一般DC-DC電源芯片內(nèi)部都有一個(gè)under voltage lock out（UVLO）功能，其作用是當(dāng)芯片的供電電壓低于UVLO
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電壓檢測(cè)電路,24V低壓檢測(cè)電路介紹
2023-02-03
電壓檢測(cè)電路,24V低壓檢測(cè)電路介紹24V低壓檢測(cè)電路當(dāng)電壓采樣速率低和要求低時(shí)，左邊電路圖即可滿足；當(dāng)采樣速率和精度要求比較高時(shí)，采用
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電路設(shè)計(jì),低電壓控制高電壓解析
2023-02-03
電路設(shè)計(jì),低電壓控制高電壓解析行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V，持續(xù)接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，所以在各種電子產(chǎn)品中都有隔離控制
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過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff/Vod的詳解
2023-02-03
過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff Vod的詳解過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Veff Vod定義Veff=VGS-VTH，表示過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實(shí)是一個(gè)變值，會(huì)隨VGS電壓
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過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電路失配有什么影響
2023-02-02
過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電路失配有什么影響運(yùn)放失配設(shè)計(jì)圖1 電阻負(fù)載運(yùn)放根據(jù)拉扎維《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》中14 2 1節(jié)的推導(dǎo)，電阻負(fù)載的運(yùn)放的直
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PMOS,NMOS的電流方向與工作區(qū)解析
2023-02-02
PMOS,NMOS的電流方向與工作區(qū)解析首先討論電流的參考方向，從結(jié)論直觀來(lái)看電流的參考方向定義為箭頭的方向(即對(duì)于兩種管子，電流的正方向都
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開關(guān)電源的損耗改善方法圖文介紹
2023-02-02
開關(guān)電源的損耗改善方法圖文介紹開關(guān)損耗的改善輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)2
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MOS管參數(shù),MOS管散熱,功率,電流參數(shù)介紹
2023-02-01
MOS管參數(shù),MOS管散熱,功率,電流參數(shù)介紹MOS管有如下參數(shù)：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc