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CMOS電平與TTL電平邏輯器件中,決定交接信號的規(guī)格是由作為DC電學(xué)特性的輸入電壓肯定的。輸入電壓存在兩種規(guī)格:將輸入斷定為L的低電平輸入
失效模式表14 2列出三種失效形式:①開路失效 ②漏電流/短路失效 ③特性劣化失效在器件制造中產(chǎn)生緣由 實(shí)踐上要用電學(xué)實(shí)驗(yàn)的方法將器件的
存儲(chǔ)器為了記憶、改寫大量的數(shù)據(jù),需求運(yùn)用存儲(chǔ)器。關(guān)于將數(shù)據(jù)寫入、讀出存儲(chǔ)器單元的控制電路和輸入輸出電路,采用耗費(fèi)功率低、容易集成化
基本邏輯電路CMOS IC基本邏輯電路列于表10 1。邏輯符號有兩種表示法,一種是人們已經(jīng)熟習(xí)的美國MIL-STD標(biāo)準(zhǔn),另一種是最近展開起來的IEC J
從高電壓向低電壓變換的接口高電壓向低電壓變換的接口要點(diǎn)不是L/H的邏輯傳輸上的問題,而是在低的電壓下流入接納IC的輸入部分的電流以及因
cmos輸出容忍功能特點(diǎn)的作用資料輸出的容忍功用如圖13 22所示,在同一信號線上,①未運(yùn)用時(shí)電源VDD連接處于OFF狀態(tài)的IC的輸出的場所;②
MOS開關(guān)開關(guān)在集成電路設(shè)計(jì)中有很多作用。在模擬電路中,開關(guān)被用來實(shí)現(xiàn)諸如電阻的開關(guān)仿真[1]等有用的功能。開關(guān)同樣也用于多路選擇、調(diào)制
什么是MOS管MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于場效
簡單場效應(yīng)管功放場應(yīng)管偶次諧波豐厚,聽感頗有電子管的風(fēng)味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大,且本錢不高,所以前級配場效應(yīng)管功放
一、場效應(yīng)管是什么場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))的簡稱。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬
MOS管的工作原理及表示符號根據(jù)導(dǎo)通溝道的載流子性質(zhì)MOS管可分為NMOS管(即N溝道MOS管)與PMOS管(即P溝道MOS管)。NMOS管是指其導(dǎo)電溝道中
在半導(dǎo)體世界里,PN結(jié)是二極管發(fā)展演變的基因,利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦钥砷_發(fā)出各種半導(dǎo)體產(chǎn)品,例如整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等。