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動(dòng)態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用想象一種不需要使用放大器的光電二極管。理論上,我們不必為了增強(qiáng)訊號(hào)而在光電二極管周圍加上復(fù)雜的模擬電路,就能
抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對(duì)比高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過程中,存在
mos場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬
碳化硅(SiC)二極管有哪些優(yōu)勢(shì)(sic)碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn),是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一,并且率先實(shí)現(xiàn)了
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低開啟電壓MOS管低開啟電壓(YGS(th))也稱為柵極閾值電壓,這個(gè)數(shù)值的選擇在這里主要與用作比擬器的運(yùn)放有火。VMOS不像BJT,柵極相關(guān)于源
低開啟電壓MOS管應(yīng)用對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品,總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積,這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。為了降低產(chǎn)品
p溝道m(xù)osfetP溝道m(xù)osfet工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩
mos管sop8封裝SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是小外形封裝。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形
電子鎮(zhèn)流器簡介隨著電子技術(shù)的發(fā)展,在照明領(lǐng)域采用電子式鎮(zhèn)流器取代傳統(tǒng)的電感式鎮(zhèn)流器,我們認(rèn)為是今后道路照明發(fā)展的方向,節(jié)電效果非常
電魚機(jī)MOS管我們?cè)谝?guī)劃制作電子捕魚器時(shí),有兩種器材是必不可少的,一種是高頻機(jī)的功率MOS管,首要用在高頻電子捕魚器中,另一種是低頻電魚
n溝道場效應(yīng)管工作原理詳解n溝道增強(qiáng)型MOS管(一)構(gòu)造絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖如圖2-34所示。(2)n溝道增強(qiáng)型MOS管1)n溝道增強(qiáng)型MOS