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深圳市烜芯微科技有限公司
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超級(jí)結(jié)MOSFET及4引腳TO-247-4L封裝的組合
2020-01-02
超級(jí)結(jié)MOSFET及4引腳TO-247-4L封裝的組合在MOSFET的發(fā)展中，超級(jí)結(jié)技術(shù)（Superjunction technique）是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率
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TO-247-4L封裝為什么和超級(jí)結(jié)MOS管是絕配
2020-01-02
TO-247-4L封裝為什么和超級(jí)結(jié)MOS管是絕配最新數(shù)據(jù)顯示，新型TO-247-4L封裝能夠解決超級(jí)結(jié)MOS管中的源級(jí)連接電感對(duì)開(kāi)關(guān)速度的不利影響。根據(jù)
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怎么為MOS管選擇最適合的驅(qū)動(dòng)電路
2020-01-02
怎么為MOS管選擇最適合的驅(qū)動(dòng)電路在開(kāi)關(guān)電源等電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)人員關(guān)心最多的是MOS管的幾個(gè)參數(shù)，如導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。這
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金氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管-OSFET P溝道N溝道MOSFET的工作原理
2020-01-02
金氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管-OSFET P溝道N溝道MOSFET的工作原理mosfet是電容器操作的晶體管器件。電容器對(duì)于操作MOSFET起著至關(guān)重要的作用。我們還稱
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MOSFET電路類型集合與特性分析
2020-01-02
MOSFET電路類型集合與特性分析已成為最常用的三端子器件的MOSFET帶來(lái)了電子電路領(lǐng)域的革命。如果沒(méi)有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可
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CMOS晶體管的制造工藝流程
2020-01-02
CMOS晶體管的制造工藝流程在IC上制造的最復(fù)雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類型，例如CMOS，BJT，F(xiàn)ET。我們根據(jù)要求選擇在IC上實(shí)施的晶體
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功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法
2019-12-31
功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高
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MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)
2019-12-31
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)與常規(guī)雙極晶體管不同，MOS管是電壓控制型器件，一般用于小電壓控制大電流的情況，包括開(kāi)關(guān)電源
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FET晶體管的類型與MOS管工作原理應(yīng)用
2019-12-31
FET晶體管的類型與MOS管工作原理應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管，其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱為單極晶體管，因?yàn)樗婕皢屋d波型操
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不同類型的晶體管與功能應(yīng)用
2019-12-31
不同類型的晶體管與功能應(yīng)用晶體管是一個(gè)有源元件，并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開(kāi)關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高和低
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如何使用晶體管作為開(kāi)關(guān)與應(yīng)用
2019-12-31
如何使用晶體管作為開(kāi)關(guān)與應(yīng)用晶體管由威廉·肖克利（William Shockley）于1947 年發(fā)明。晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，可用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用，
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什么是MOS控制晶閘管與工作應(yīng)用
2019-12-31
什么是MOS控制晶閘管與工作應(yīng)用MOS控制晶閘管由VAK Temple開(kāi)發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GT