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深圳市烜芯微科技有限公司
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MOS管開關(guān)電路實(shí)例介紹
2023-06-16
MOS管開關(guān)電路實(shí)例介紹MOS管開關(guān)電路實(shí)例1在下圖所示的電路中，增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡(jiǎn)單的燈ON和OFF（也可以是 LED）。柵極輸入
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MOS管結(jié)構(gòu),MOS管導(dǎo)電溝道的形成介紹
2023-06-16
MOS管結(jié)構(gòu),MOS管導(dǎo)電溝道的形成介紹導(dǎo)電溝道的形成NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極
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MOS管柵極下拉電阻的阻值選取介紹
2023-06-15
MOS管柵極下拉電阻的阻值選取介紹這是一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)普通直流電機(jī)的電路圖。解釋一下電路：TC4426是一個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)芯片，供電電壓12V，如果P
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Layout中的MOS管電容介紹
2023-06-15
Layout中的MOS管電容介紹以下是NMOS電容的C-V特性曲線。當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管工作
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NMOS管,PMOS防止電源反接電路介紹
2023-06-15
NMOS管,PMOS防止電源反接電路介紹MOS管防反接電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)
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VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路圖介紹
2023-06-14
VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路圖介紹VMOS管電子鎮(zhèn)流器電路下圖是由VMOS管組成的電子鎮(zhèn)流器電路，其工作頻率為40KHz，可節(jié)能25%。電阻R1，電容C2，雙
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MOS管靜電擊穿,電壓型,功率型解析
2023-06-14
MOS管靜電擊穿,電壓型,功率型解析MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感
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使用MOS管實(shí)現(xiàn)防電源反接電路介紹
2023-06-14
使用MOS管實(shí)現(xiàn)防電源反接電路介紹使用MOS管實(shí)現(xiàn)的防電源反接電路，在電源正確接入時(shí)，電源正常對(duì)負(fù)載供電。在電源正負(fù)極反接時(shí)，斷開負(fù)載電
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MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文解析
2023-06-13
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)優(yōu)化圖文解析在大多數(shù)的開關(guān)功率應(yīng)用電路中，當(dāng)柵極被驅(qū)動(dòng)，開關(guān)導(dǎo)通時(shí)漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍，這
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圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩介紹
2023-06-13
圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩介紹SiC MOSFET由于開關(guān)速度快，在大電流大電壓工作條件下，開關(guān)瞬態(tài)會(huì)產(chǎn)生非常高的電流變化率di dt和電壓變
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MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
2023-06-13
MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹HTRB 高溫反偏測(cè)試高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱
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MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹
2023-06-12
MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹RC熱阻模型的建立如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流