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工程師必看的MOS型LDO工作原理
2024-12-21
工程師必看的MOS型LDO工作原理實際常見的電源應(yīng)用有DCDC和LDO兩種，與DCDC電路不同的是，LDO輸出晶體管的工作狀態(tài)是線性工作模式，并非開關(guān)
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開關(guān)電源為什么幾乎都選擇增強型NMOS來作為開關(guān)
2024-12-21
開關(guān)電源為什么幾乎都選擇增強型NMOS來作為開關(guān)在實際應(yīng)用中，開關(guān)電源或者控制電路設(shè)計中，幾乎使用的是使用增強型的N-MOSFET來作為開關(guān)，
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三極管基極與發(fā)射極為什么要并聯(lián)一個電阻
2024-12-21
三極管基極與發(fā)射極為什么要并聯(lián)一個電阻對于這個問題，在網(wǎng)上查詢了部分回答，基本都是可以讓三極管可靠截止均流限流的回答。今天就以上回
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NMOS的防反接保護(hù)電路設(shè)計介紹
2024-12-21
NMOS的防反接保護(hù)電路設(shè)計介紹講完P(guān)MOS，這次來看看NMOS的防反保護(hù)電路有什么不同？簡單的柵極驅(qū)動電路設(shè)計，我們會使用NMOS來作防反電路，
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PMOS防反接保護(hù)電路設(shè)計介紹
2024-12-21
PMOS防反接保護(hù)電路設(shè)計介紹傳統(tǒng)的防反保護(hù)電路，一般采用的都是PMOS管。將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時，電流流過
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怎么使用MOS管來實現(xiàn)分立式邏輯門
2024-12-21
怎么使用MOS管來實現(xiàn)分立式邏輯門早期時候的工藝僅僅支持NMOS來實現(xiàn)邏輯功能。如今采用NMOS+PMOS，是因為MOS管的占據(jù)面積遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電阻的面
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IGBT的正負(fù)電壓控制,與0V的關(guān)斷過程介紹
2024-12-21
IGBT的正負(fù)電壓控制,與0V的關(guān)斷過程介紹IGBT在柵極和發(fā)射極之間加入正電壓就可以進(jìn)行導(dǎo)通。不過，這個正電壓至少需要高于閾值電壓。如果柵
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五種MOS管泄漏電流與產(chǎn)生原因介紹
2024-12-20
五種MOS管泄漏電流與產(chǎn)生原因介紹本文介紹了五種MOS管在實際應(yīng)用中存在的漏電流：反偏結(jié)泄漏電流、柵極致漏極泄漏電流、柵極直接隧穿電流、
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MOSFET柵極,源極的下拉電阻作用是什么
2024-12-20
MOSFET柵極,源極的下拉電阻作用是什么米勒電容：在柵極（G）和漏極（D）之間的一個寄生電容。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，米勒電容的存在，會使MOS管的
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柵極驅(qū)動IC式自舉電路的設(shè)計介紹
2024-12-20
柵極驅(qū)動IC式自舉電路的設(shè)計介紹自舉式電路在高電壓柵極驅(qū)動電路中是很有用的。當(dāng) VS 降低到 IC 電源電壓 VDD 或下拉至地時 ，（低
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為什么柵極型推挽電路經(jīng)用的是上N下P,不是上P下N型
2024-12-20
為什么柵極型推挽電路經(jīng)用的是上N下P,不是上P下N型理論上來講，上P下N型明明更有優(yōu)勢，為什么實際應(yīng)用中推挽電路用的是上N下P型?左為上P下N
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四種常見的防反接電路設(shè)計介紹
2024-12-20
四種常見的防反接電路設(shè)計介紹電源的正負(fù)極一旦接反，就會導(dǎo)致很多電子元器件燒毀，其中主要的緣由是因為電流過大導(dǎo)致器件被擊穿，因此實際