在電子應(yīng)用中，使用兩個(gè)PMOS管背靠背連接是常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)，其主要目的是為了提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。
那么，兩個(gè)PMOS管背靠背連接，是串聯(lián)還是并聯(lián)？事實(shí)上，兩者都是，即存在串聯(lián)和并聯(lián)兩種方式。今天我們主要帶著以下二個(gè)核心展開(kāi)講解：
1. 串聯(lián)與并聯(lián)的電路設(shè)計(jì)的目的
2. 為什么不能只用一個(gè)PMOS？
2個(gè)PMOS并聯(lián)，如圖
可以看到，當(dāng)Q1和Q2（PMOS）導(dǎo)通時(shí)，左右兩邊+12V并聯(lián)增加電流，目的是為了提高VIN（輸出端）的帶載能力，用來(lái)給模塊供電。
在這里的兩個(gè)PMOS管用處就很清楚了：起到分流的作用，因?yàn)閂IN負(fù)載電流會(huì)比較大。
在這里對(duì)電路設(shè)計(jì)解釋：
控制信號(hào)，也就是PHONE_POWER；
當(dāng)它輸出高電平時(shí)，三極管Q3導(dǎo)通，兩個(gè)PMOS Q1和Q2導(dǎo)通，VIN輸出端會(huì)等于+12V；當(dāng)它輸出低電平時(shí)，三極管Q3截止，兩個(gè)PMOS Q1和Q2截止，VIN輸出端會(huì)等于0V；
2個(gè)PMOS串聯(lián)，如圖
可以看到兩個(gè)MOS管串聯(lián)，對(duì)電路設(shè)計(jì)解釋：
控制信號(hào)，也就是PHONE_POWER；
當(dāng)它輸出高電平時(shí)，三極管Q3導(dǎo)通，兩個(gè)PMOS Q1和Q2導(dǎo)通，VIN輸入端會(huì)等于VOUT輸出端；
當(dāng)它輸出低電平時(shí)，三極管Q3截止，兩個(gè)PMOS Q1和Q2截止，VIN輸出端會(huì)等于0V；
當(dāng)需要外接輸出端VOUT進(jìn)行調(diào)試時(shí)，兩個(gè)PMOS管進(jìn)行關(guān)閉，可以防止輸出端VOUT的電流串到VIN輸入端處；如果沒(méi)有Q1，即輸出端VOUT電流從Q2的體二極管串到VIN輸入端處。
原理是體二極管的反向截止特性：Q1（左正右負(fù)），Q2（左負(fù)右正）
那么，為什么不能只用一個(gè)MOS管呢？
現(xiàn)在我們來(lái)討論下電路設(shè)計(jì)：
假設(shè)VIN負(fù)載最大電流為1A，電路中并聯(lián)使用兩個(gè)PMOS，每個(gè)PMOS管的IDS電流就會(huì)在0.5A以上。
那么問(wèn)題來(lái)了，我們能保證兩個(gè)管子都是0.5A嗎？如果一個(gè)是0.7A，一個(gè)是0.3A或者一個(gè)0.6A，一個(gè)0.4A，那其中一個(gè)管子不就 因?yàn)殡娏鬟^(guò)大而發(fā)熱甚至導(dǎo)致燒毀?
首先會(huì)想到的是，使用兩個(gè)RDS(on)同樣的MOS管，這樣流經(jīng)的電流就會(huì)一致了。
但 俗話說(shuō)得好，這個(gè)世界上沒(méi)有兩片完全相同的樹葉。MOS管也一樣，兩個(gè)管子同樣會(huì)存在制造工藝的差異以及其它參數(shù)的不一致。
這時(shí)候有沒(méi)有朋友想到我們發(fā)過(guò)的一期文章？就是MOS管的均流設(shè)計(jì)。
還是和MOS管的RDS（on）有關(guān)，小編看到有朋友是這么說(shuō)的。
MOS管的RDS（on）和溫度是呈正系數(shù)關(guān)系，即隨著溫度的升高，RDS（on）會(huì)增大。
由于Q1流過(guò)的電流會(huì)比Q2大，所以Q1的溫升肯定比Q2高，這時(shí)候Q1的RDS（on）會(huì)增大，RDS（on）增大后，流過(guò)Q1的電流又會(huì)變小，形成一個(gè)完整的負(fù)反饋，并實(shí)現(xiàn)了均流。
不過(guò)，想要更保險(xiǎn)起見(jiàn)的話，建議選擇MOS管時(shí)保有余量。比如VIN的最大負(fù)載是1A，那么兩個(gè)PMOS管就可以選擇0.6~0.7A的IDS。并且最好選擇一致的型號(hào)。
這種電路設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，微碧給大家簡(jiǎn)單進(jìn)行了以下整理：
1. 電流共享，避免電流過(guò)大損壞器件的風(fēng)險(xiǎn)；
2. 增加開(kāi)關(guān)速度，兩個(gè)并聯(lián)能夠減小整個(gè)電路的開(kāi)關(guān)時(shí)間，電阻越小，開(kāi)關(guān)速度越快；
3. 降低電磁干擾，背靠背連接能夠減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾；
4. 提高電路的可靠性，當(dāng)一個(gè)PMOS管出現(xiàn)故障時(shí)，另一個(gè)PMOS管仍然可以繼續(xù)工作；
5. 降低成本，選擇MOS管時(shí)可以在一定程度上降低總成本。
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