不過(guò)，這可不代表MOSFET就不會(huì)靜電！那么，這靜電到底從何而來(lái)？
靜電放電：
是絕大多數(shù)器件、IC設(shè)計(jì)與制造的頭號(hào)難題。
靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，一般是人為產(chǎn)生的，在生產(chǎn)、組裝、測(cè)試、存放以及搬運(yùn)的過(guò)程中，靜電會(huì)累積在人體、儀器或設(shè)備當(dāng)中，然而元器件本身也會(huì)累積靜電。
靜電產(chǎn)生的方式通常分為四種：人體放電（HBM）、機(jī)器放電（MM）、元件充電（CDM）、電場(chǎng)感應(yīng)（FIM），通常以人體放電（HBM）、機(jī)器放電這兩種為主要測(cè)試模式。
HBM：業(yè)界對(duì)HBM的ESD標(biāo)準(zhǔn)(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)
MM：機(jī)器移動(dòng)產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時(shí)由pin腳釋放，ESD標(biāo)準(zhǔn)【（EIA/JESD22-A115-A），等效機(jī)器電阻為0(金屬，且放電時(shí)間較短，在ms或者us之間），電容為100pF】。
由于等效電阻為0，因此電流很大，此外機(jī)器本身存在很多導(dǎo)線之間的耦合作用，電流會(huì)因此受到干擾進(jìn)而變化。
CDM：器件帶靜電后接觸一個(gè)接地的導(dǎo)體發(fā)生放電。
在同樣的靜電電壓等級(jí)下，器件損傷程度：MM＞CDM＞HBM，產(chǎn)品規(guī)格書常見(jiàn)HBM、MM，電子器件標(biāo)準(zhǔn)為HBM接觸2KV。
接以上陳述以后，知道MOS管為何要防靜電嗎？
我們知道，MOS管是一個(gè)ESD敏感器件，本身輸入阻抗很高，其G-S之間的電容又很小，易受到外界電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)而帶電。
MOSFET靜電擊穿有兩種模式：
電壓型：G極的薄氧化層發(fā)生擊穿形成針孔，使G-S極/G-D之間短路；
功率型：金屬化薄膜鋁條被熔斷，導(dǎo)致G極/S極開(kāi)路。
絕大部分MOSFET很少暴露在容易產(chǎn)生ESD的環(huán)境里，但在部分應(yīng)用里，MOSFET會(huì)專門在GS之間增加一個(gè)ESD保護(hù)器提高它的靜電防護(hù)能力。
不過(guò)，現(xiàn)在大多數(shù)MOSFET都沒(méi)那么容易擊穿，尤其是大功率VMOS，一般都有二極管保護(hù)，并且其柵極電容較大，感應(yīng)不出高壓。有些CMOS器件內(nèi)部增加了IO口保護(hù)，不過(guò)也不能用手直接接觸CMOS器件的管腳，會(huì)導(dǎo)致可焊性變差。
靜電放電
所形成的是短時(shí)的大電流，放電脈沖的時(shí)間常數(shù)一般遠(yuǎn)小于器件散熱的時(shí)間常數(shù)。
當(dāng)靜電放電電流流經(jīng)pn結(jié)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，并形成局部過(guò)熱，甚至超過(guò)材料本身的溫度（硅的熔點(diǎn)1410℃），這將導(dǎo)致pn結(jié)短路，使器件失效。
功率密度越小，器件越不容易受到損壞。
相對(duì)其它器件，MOS管的ESD敏感度要高一點(diǎn)。但ESD具有隨機(jī)性，就算產(chǎn)生ESD，也未必一定會(huì)把MOS管擊穿。
解決方案
在存儲(chǔ)和運(yùn)輸時(shí)，最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，避免化纖物品；
組裝、調(diào)試時(shí)，工具、儀表和工作臺(tái)需做到良好接地，操作人員要避免穿著尼龍、化纖衣類導(dǎo)致靜電干擾；
MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，懸空的G極易受外部干擾讓MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電。G懸空是很危險(xiǎn)的，容易造成爆管。讓G極接個(gè)下拉電阻對(duì)地，外部干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般這個(gè)柵極電阻可以在10-20K。
這個(gè)柵極電阻的作用之前也有提到過(guò)：
為MOS提供偏置電壓
起到泄放電阻的作用
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