MOSFET與BJT區(qū)別
MOSFET是電壓驅(qū)勱,雙極型晶體管(BJT)是電流驅(qū)勱。
(1)只容許從信號(hào)源叏少量電流的情況下,選用MOS管;在信號(hào)電壓較低,有容許從信號(hào)源取較多電流的條件下,選用三極管。
(2)MOS管是單極性器件(靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電),三極管是雙極性器件(既有多數(shù)載流子,也要少數(shù)載流子導(dǎo)電)。
(3)有些MOS管的源極和漏極可以互換運(yùn)用,柵極也可正可負(fù),靈活性比三極管好。
(4)MOS管應(yīng)用普遍,可以在很小電流和很低電壓下工作。
(5)MOS管輸入阻抗大,低噪聲,MOS管較貴,三極管的損耗大。
(6)MOS管常用來(lái)作為電源開關(guān),以及大電流開關(guān)電路、高頻高速電路中,三極管常用來(lái)數(shù)字電路開關(guān)控制。
MOSFET與IGBT區(qū)別
IGBT芯片=MOSFET+BJT。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效管)組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體,兼?zhèn)淞穗p極型晶體管的高耐壓和MOSFET輸入抗阻高的特性,因此IGBT適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。
MOSFET與IGBT區(qū)別:電壓需求
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