一、MOS管的基礎(chǔ)特性
（1）MOS管有柵極G，漏極D，源極S；
（2）PMOS管（類(lèi)似于PNP），低電平導(dǎo)通，高電平截止；
PMOS管
（3）NMOS管（類(lèi)似于NPN），高電平導(dǎo)通，低電平截止。
NMOS管
二、MOS管的開(kāi)關(guān)特性應(yīng)用
1、阻斷VCC端
用于阻斷VCC端，使用PMOS管，且源端S接VCC端。
使用Multisum仿真，效果如下：
（1）G極接低電平
（2）G極接高電平
2、阻斷GND端
用于阻斷GND端，使用NMOS管，且源端S接GND端。
使用Multisum仿真，效果如下：
（1）G極接低電平
（2）G極接高電平
三、MOS管的實(shí)際應(yīng)用
（1）替換三極管
因MOS管沒(méi)有結(jié)點(diǎn)電壓，三極管有0.3V的CE極結(jié)點(diǎn)電壓，故常用于替換三極管，做信號(hào)端控制。
（2）用于低功耗電路的電源輸出控制
在做電池供電類(lèi)的低功耗產(chǎn)品時(shí)，對(duì)于主控休眠時(shí)，
電源控制
需要對(duì)不工作的電路部分，進(jìn)行斷電，來(lái)減少電量損耗。
如遙控器不操作時(shí)，芯片休眠，且斷開(kāi)對(duì)射頻部分的供電。
（3）用于防反接電路
防反接
防止電路中，VCC與GND接反，導(dǎo)致電路燒壞。
（4）用于推挽輸出
推挽輸出
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