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  • MOS管實例應(yīng)用電路,激勵電路詳解
    • 發(fā)布時間:2024-07-13 17:49:13
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    MOS管實例應(yīng)用電路,激勵電路詳解
    初步的了解了MOS管的一些知識后,一般的就可以簡單的分析,采用MOS管開關(guān)電源的電路了。
    1、 三星等離子V2屏開關(guān)電源PFC部分激勵電路分析
    MOS管 激勵電路
    (圖1:三星V2屏開關(guān)電源 - PFC電源部分電原理圖)
    MOS管 激勵電路
    (圖2:圖1的等效電路框圖)
    圖1所示,是三星V2屏等離子開關(guān)電源的PFC激勵部分。從圖中可以看出;這是一個并聯(lián)開關(guān)電源L1是儲能電感,D10是這個開關(guān)電源的整流二極管,Q1、Q2是開關(guān)管,為了保證PFC開關(guān)電源有足夠的功率輸出,采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯(lián)應(yīng)用(圖2所示;是該并聯(lián)開關(guān)電源等效電路圖,圖中可以看出該并聯(lián)開關(guān)電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的),圖中Q3、Q4是灌流激勵管,Q3、Q4的基極輸入開關(guān)激勵信號, VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。
    兩只開關(guān)管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管,R16是Q2的在激烈信號為正半周時的對Q2柵極等效電容充電的限流電阻,D7是Q2在激烈信號為負半周時的Q2柵極等效電容放電的放電二極管,同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關(guān)機柵極電荷泄放電阻。D9是開機瞬間浪涌電流分流二極管。
    2、三星等離子V4屏開關(guān)電源PFC部分激勵電路分析
    下圖所示,是三星V4屏開關(guān)電源PFC激勵部分電原理圖,可以看出該V4屏電路激勵部分原理相同于V2屏。只是在每一只大功率MOS開關(guān)管的柵極泄放電阻(R209、R206)上又并聯(lián)了過壓保護二極管:ZD202、ZD201及ZD204、ZD203。
    MOS管 激勵電路
    3、海信液晶開關(guān)電源PFC部分激勵電路分析
    海信液晶電視32寸~46寸均采用該開關(guān)電源,電源采用了復(fù)合集成電路SMA—E1017(PFC和PWM共用一塊復(fù)合激勵集成電路),同樣該PFC開關(guān)電源部分也是一個并聯(lián)的開關(guān)電源,圖3-4所示。TE001是儲能電感、DE004是開關(guān)電源的整流管、QE001、QE002是兩只并聯(lián)的大功率MOS開關(guān)管。該集成電路的PFCOUTPUT端子是激勵輸出,RE008、RE009、RE010、VE001、DE002、RE011、DE003組成QE001和QE002的灌流電路。
    MOS管 激勵電路
    下圖所示為灌流電路的等效電路,從圖中,可以清晰的看出該灌流電路的原理及各個元件的作用。
    MOS管 激勵電路
    從等效電路圖來分析,集成電路的激勵輸出端(PFCOUTPUT端子),輸出方波的正半周時DE002導(dǎo)通,經(jīng)過RE008、RE010對MOS開關(guān)管QE001和QE002的柵極充電,當(dāng)激勵端為負半周時,DE002截止,由于晶體三極管VE001是PNP型,負半周信號致使VE001導(dǎo)通,此時;QE001和QE002的柵極所充電荷經(jīng)過VE001放電,MOS管完成“開”、“關(guān)”周期的工作。從圖3-5的分析中,RE011作用是充電的限流電阻,而在放電時由于VE001的存在和導(dǎo)通,已經(jīng)建立了放電的回路,DE003的作用是加速VE001的導(dǎo)通,開關(guān)管關(guān)閉更加迅速。
    開頭的圖所示的是原理圖是PFC開關(guān)電源及PWM開關(guān)電源的電原理圖,該電路中的集成電路MSA-E1017是把PFC部分的激勵控制和PWM部分激勵控制復(fù)合在一塊集成電路中,下圖是原理框圖,圖中的QE003及TE002是PWM開關(guān)電源的開關(guān)管及開關(guān)變壓器,RE050是QE003的充電限流電阻、DE020是其放電二極管。
    MOS管 激勵電路
    關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一,于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關(guān)知識,希望對各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來聊聊MOS管這個非常重要的元器件吧!
    防靜電保護
    MOS管是屬于絕緣柵場效應(yīng)管,柵極是無直流通路,輸入阻抗極高,極易引起靜電荷聚集,產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大都沒有防靜電的措施,所以在保管及應(yīng)用上要非常小心,特別是功率較小的MOS管,由于功率較小的MOS管輸入電容比較小,接觸到靜電時產(chǎn)生的電壓較高,容易引起靜電擊穿。
    而近期的增強型大功率MOS管則有比較大的區(qū)別,首先由于功能較大輸入電容也比較大,這樣接觸到靜電就有一個充電的過程,產(chǎn)生的電壓較小,引起擊穿的可能較小,再者現(xiàn)在的大功率MOS管在內(nèi)部的柵極和源極有一個保護的穩(wěn)壓管DZ(如下圖所示),把靜電嵌位于保護穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下,有效的保護了柵極和源極的絕緣層,不同功率、不同型號的MOS管其保護穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值是不同的。雖然MOS管內(nèi)部有了保護措施,我們操作時也應(yīng)按照防靜電的操作規(guī)程進行,這是一個合格的維修員應(yīng)該具備的。
    MOS管 激勵電路
    檢測與代換
    在修理電視機及電器設(shè)備時,會遇到各種元器件的損壞,MOS管也在其中,這就是我們的維修人員如何利用常用的萬用表來判斷MOS管的好壞、優(yōu)劣。在更換MOS管時如果沒有相同廠家及相同型號,如何代換的問題。
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