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  • MOS管襯底電位接法,PMOS,NMOS襯底連接介紹
    • 發布時間:2022-04-16 16:40:23
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    MOS管襯底電位接法,PMOS,NMOS襯底連接介紹
    MOS管襯底電位接法
    P-SUB工藝,NMOS 的襯底都是一樣的,都是P-SUB,所以不可以將源極和襯底接一塊,不然通過襯底短接會影響其他NMOS的特性,因此NMOS的襯底只能接GND(低電位);
    P-SUB工藝,PMOS管的N襯底都是單獨的,因此可以將源極和襯底接一塊來減小襯偏效應;
    N-WLL工藝,PMOS的襯底都是一樣的,都是N-WELL,因此不可以將源極和襯底接一塊,不然通過襯底短接會影響其他PMOS的特性,因此PMOS的襯底只能接VDD(高電位);
    N-WELL工藝,NMOS管的P襯底都是單獨的,因此可以將源極和襯底接一塊來減小襯偏效應;
    Deep Nwell,是在PSUB工藝情況下,對NMOS管可以采取的一種隔離方式,底部是deep nwell,周圍是nwell形成的一個環,來隔離共襯底引起的噪聲干擾。
    PMOS、NMOS襯底連接
    在schematic原理圖中搭建電路時,所有pmos的襯底需要接VDD,所有nmos的襯底需要接VSS。
    MOS管 襯底連接
    在layout版圖中,VDD供電時,選擇的通孔類型的M1_NW,因為PMOS器件做在N阱中。
    MOS管 襯底連接
    相對應,VSS供電選擇的通孔類型為M1_SUB。
    MOS管 襯底連接
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