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  • MOSFET,關(guān)于MOSFET這些一定要知道
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-03-26 18:55:27
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    MOSFET,關(guān)于MOSFET這些一定要知道
    MOSFET就是我們俗稱的MOS管,常用的就是用MOS管來做開關(guān)器件。
    我們通常選MOS管會希望其有如下的參數(shù):
    1、耐壓足夠高,避免DS的擊穿。 
    2、導(dǎo)通電流足夠大,保證功率的輸出足夠。
    3、體積小發(fā)熱低,避免過熱損壞器件。
    4、開關(guān)速度要快,因?yàn)橐?jīng)過可變電阻區(qū),所以要盡快, 避免過多的發(fā)熱損耗。
    各個參數(shù)介紹:
    一、擊穿電壓
    DS可承受的最大電壓,這個參數(shù)也并不是越大越好,耐壓高的管子,一般通態(tài)電阻也比較大!
    二、導(dǎo)通電流
    Id,持續(xù)漏極電流,通常和通態(tài)電阻有很大關(guān)系。
    三、體積和發(fā)熱
    熱阻:熱量在傳導(dǎo)過程中受到的阻礙作用,用R表示。單位℃/W. 
    我們自然希望熱阻越小越好,那樣熱量就會散發(fā)出去,而避免管子過熱而損壞器件。通常相同參數(shù)的MOS管,體積越大,熱阻就越小,散熱越順利。通常對于MOS管我們還會進(jìn)行輔助散熱,諸如增大散熱片,線路板面積的鋪銅等措施。
    四、開關(guān)速度
    開關(guān)速度如何處理不好,那么導(dǎo)致對應(yīng)的發(fā)熱可能比通態(tài)電阻造成的發(fā)熱還大!
    究其原因還是因?yàn)镸OS管不是理想的導(dǎo)通和截止,而是需要一段時(shí)間。例如導(dǎo)通,電壓逐漸降低,電流逐漸升高,這段時(shí)間內(nèi),電壓和電流都不為0,對應(yīng)就會產(chǎn)生一定的發(fā)熱功率。
    當(dāng)然如果是長時(shí)間持續(xù)的導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)也倒是無所謂,但是一般MOS管都是出于高速開關(guān)管的狀態(tài)。這時(shí)候?qū)?yīng)的損耗就不容小覷了。
    MOSFET MOS管
    1.MOS管的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗
    通常解決辦法有 零電壓開關(guān)技術(shù)(ZVS)和零電流開關(guān)技術(shù)(ZCS)。
    MOS管原理:
    MOS管是一個柵極電壓控制漏極電流的器件。 
    柵極從外部來看的話可以等效成為一個電容的,控制MOS管的開關(guān)就是電容的充放電。一旦超過開啟電壓(2~4V)再繼續(xù)增加就會進(jìn)入可變電阻區(qū),繼續(xù)升高就會進(jìn)入恒流區(qū)。 
    電容兩端的電壓不會突變,升降需要一個過程,這個過程越快也即是開關(guān)速度越快,對應(yīng)的開關(guān)損耗也就越低。
    MOSFET MOS管
    2.柵極充放電等效電路
    常情況下,電流越大,對應(yīng)的柵極電容也就越大也就是說開關(guān)速度慢。但是電流越大,對應(yīng)的功率也就越大,它們是相互制約又相互聯(lián)系的,所以,在參數(shù)選擇上,要做到均衡。
    柵極電阻的作用
    說一千道一萬就是想盡可能高的提高開關(guān)速度,而柵極電阻的存在勢必會影響開關(guān)速度,即電容的充放電速度。那為何還要保留呢?
    MOSFET MOS管
    3.柵極的寄生振蕩
    如果沒有柵極電阻,由于各種雜散參數(shù)的影響,會產(chǎn)生柵極的寄生震蕩。甚至還有嚴(yán)重的過沖現(xiàn)象的發(fā)生。
    MOS管內(nèi)部的二極管
    通常在MOS管的DS之間是并有一個二極管的,性能堪比快恢復(fù)二極管。這就是為什么MOS管驅(qū)動感性負(fù)載不需要在額外并聯(lián)二極管的原因。
    MOS管驅(qū)動電路
    驅(qū)動電路要求足夠的充放電電流,在高速狀態(tài)下,不能使用上下拉電阻來提供相應(yīng)的高電平和低電平,否則將嚴(yán)重降低開關(guān)速度,增加通過可變電阻區(qū)的時(shí)間,降低效率。那該怎么辦呢?
    慢開快關(guān)場合驅(qū)動電路
    MOSFET MOS管
    4.簡化后慢開快關(guān)電路
    在避免寄生震蕩的前提下(保留柵極電阻),在柵極電阻上并聯(lián)一個二極管。
    這樣在是低電平的時(shí),可以達(dá)到快速截止的效果。
    負(fù)壓截止場合驅(qū)動電路
    先來說一下負(fù)壓截止的好處
    ①、保證快速截止。由RC充電模型可知,在0~5V的參考區(qū)間內(nèi),-5~12的關(guān)斷速度要遠(yuǎn)大于5~12的關(guān)斷速度。
    ②、保證可靠截止。 因?yàn)镸OS管的GD間有較大的電容存在,因此來自負(fù)載的高頻干擾可能通過Cgd在柵極產(chǎn)生感應(yīng)電壓,該電壓可能導(dǎo)致MOS管的誤導(dǎo)通,而負(fù)壓截止在一定程度上避免此種情況的發(fā)生。
    一般驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
    MOSFET MOS管
    5.MOS管驅(qū)動電路參考
    這里有一點(diǎn)不同了,就是那個R2和穩(wěn)壓管。
    Q:R2啥作用?
    A:MOS管柵極輸入阻抗高,在引腳懸空的狀態(tài)下,很容易在柵極形成較高的感應(yīng)電壓而使得管子誤導(dǎo)通,R2的存在可以保證可靠的下拉截止。典型值10K。
    Q:穩(wěn)壓管的作用?
    A:將柵極電位鉗位,避免擊穿柵極電容,造成MOS管的損壞。 
    取值應(yīng)高于驅(qū)動電壓,低于最大承受電壓。
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