安裝和更換MOS管注意事項
一、安裝和更換MOS管前的準備
1.由于MOS管柵極絕緣層很薄，柵漏電容較小。有U=Q/C，所以靜電和感應電壓成正比。人體靜電電壓就極易對管子的柵極造成損壞。
2.不要人體直接觸碰管子柵極。
3.由于干燥易產生靜電，應在安裝和更換MOS管前，洗洗手，以消除靜電。
4.最好加接地護腕。功放模塊接地。最好用防靜電焊臺或防靜電烙鐵。
二、測量MOS管方法
1.用指針表100歐姆擋測量。先使表筆接地，放掉表筆靜電。
2.測量柵源，柵漏，正反向電阻都應無窮大。
3.源漏間一般是兩個背靠背二極管，測量源漏極正反向電阻都應無窮大。有很多MOS管的源漏極是同一種半導體材料建立在另一半導體材料作為襯底。而襯底又是和源極接在一起的，所以源漏間相當一只二極管。N-溝道場效應管，紅筆接漏極，黑筆接源極，正向電阻約5-10K。反向無窮大。由于先測量柵極會給柵極充靜電而保持有柵壓，紅筆接源極，黑筆接漏極時不是無窮大。可短路柵源極放掉柵壓，再重新測量源漏極電阻，確定源漏是否損壞。
4.場效應管一般損壞是柵漏擊穿，柵漏電阻很小。源漏極損壞，源漏極反向電阻較小，100K以下。
5.注意BLF861由于工藝，一對管子的襯底是一起的，兩管子漏極也一起的，管子兩漏極間電阻是很小的。而BLF278一對管子的襯底不是一起的，兩管子漏極電阻是無窮大的。
三、細心檢查電路中有無損壞的元件
1.對有3db合成器的電路，要檢查負載端的負載值是否準確。
2.對照檢查柵地電阻是否正確。
3.檢查柵極.漏極電路微帶電容有沒損壞。
4.調整柵壓到最小，(吉兆功放一般是順時針調小)。
四、安裝MOS管
1.先把功放模塊安裝MOS管的位置進行清理，焊掉有影響的微帶電容，電感，漏極供電電感，把柵.漏極焊接處的焊錫清理干凈，把底座用酒精清洗。
2.給MOS管的底座均勻涂薄薄一層導熱硅脂， 保證管子和底座良好接觸導熱。
3.裝好管子，擰好固定螺絲和散熱器，用硬物按壓，使柵極.漏極都緊壓在焊接處。
4.用60W接地烙鐵，拔掉電源。用好的焊錫絲，快速對柵極，漏極進行焊接。焊錫不宜太多和太少，焊錫多了散熱太快，太少了焊接不牢。注意不要直接用手拿焊錫焊接，用絕緣鑷子或尖嘴鉗夾著焊錫焊接。烙鐵功率不宜太小，不宜過大。太小溫度不夠，太大也易燙壞管子。焊接時間要短，焊接時間長容易燙壞管子，可分多次焊接。
5.焊接好管子后，逐個焊接好諧振電容，諧振電感，最后焊接漏極供電電感。
五、安裝管子后的靜態調整
1.功放模塊輸出接功率負載，輸入不加激勵。對功放管子靜態電流檢查，可量管子漏極電路中的電流取樣電阻的電壓，判斷管子的靜態電流是否正常，因為柵壓已調到較小值，靜態電流應很小。如果取樣電壓較大就可能功放有自激，要排除自激后再校正靜態工作點。
2.如果取樣電壓很小，沒有自激。可調整柵壓到比正常柵壓略低，再測電流取樣電壓，微調柵壓可調電阻，使取樣電壓達到正常值。BLF278的柵壓為3V左右，BLF861的柵壓為5V左右，對管工作電流均為0.8A。當取樣電阻R050四只并聯時，為0.0125歐姆。取樣電壓應為10MV。
幾種常見的MOSFET驅動電路
不隔離互補驅動電路
由于MOSFET為電壓型驅動器件，當其關斷時，漏源兩端的電壓的，上升會通過結電容在柵源兩端產生干擾電壓，如圖所示的電路不能提供負電壓，因此其抗干擾性較差，有條件的話可以將其中的地換成-Vcc，以提高抗干擾性及提高關斷速度。
隔離驅動電路
（1）正激驅動電路
N3為去磁繞組，S1為要驅動的功率管。R2為防止功率管柵源電壓振蕩的一個阻尼電阻。R1為正激變換器的假負載,用于消除關斷期間輸出電壓發生振蕩而誤導通，并作為MOSFET關斷時的能量泄放回路。
該驅動電路的導通速度主要與被驅動S1柵源極等效輸入電容的大小、Q1的驅動信號的速度以及Q1所能提供的電流大小有關
優點:
電路簡單，并實現了隔離驅動。只需單電源即可提供導通時的正電壓及關斷時的負電壓。占空比固定時，通過合理的參數設計，此驅動電路也具有較快的開關速度。
缺點:
由于變壓器副邊需要一個較大的防振蕩電阻，該電路消耗比較大。當占空比變化時關斷速度變化加大。脈寬較窄時，由于儲存的能量減少導致MOSFET關斷速度變慢。
（2）有隔離變壓器互補驅動電路
該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大及占空比小于0.5的場合
優點:
電路簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅動的關斷能力不會隨著變化。該電路只需一個電源，隔直電容C的作用在關斷時提供一個負壓，從而加速了功率管的關斷，有較高的抗干擾能力。
缺點:
輸出電壓幅值會隨著占空比變化而變化。當D較小時，負電壓較小，抗干擾能力變差，同時正向電壓高，應注意不要超過柵源允許電壓:當D大于0.5時，正向電壓降低，負電壓升高，應注意使其負電壓不要超過柵源允許電壓。
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