本文主要講MOS管損毀原因，會(huì)從4個(gè)方面來(lái)講。希望對(duì)大家有所幫助。MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
1、MOS管損毀原因-在電源電壓方面
1）、過(guò)流-------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；
2）、過(guò)壓-------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；
3）、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；
2、MOS管損毀原因-在MOS管電源電壓方面
1）、漏源電壓過(guò)大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；
2）、漏源電流過(guò)大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管D、S兩端短路；
3）、柵源電壓過(guò)大，MOS管燒壞。現(xiàn)象：MOS管G、D、S短路；
3、MOS管損毀原因-其他方面
1）、堵轉(zhuǎn)會(huì)使電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)升高，使電機(jī)電流大增過(guò)流保護(hù)太遲鈍；
2）、同時(shí)導(dǎo)通；
3）、功率過(guò)大；
4）、散熱不足；
5）、頻率太高；
6）、MOS管內(nèi)阻未充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大；
4、MOS管損毀原因-會(huì)對(duì)MOS管造成的影響
1）、MOS管吸附灰塵，改變線(xiàn)路間的阻抗，影響MOS管的功能和壽命。
2）、因電場(chǎng)或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使MOS管不能工作（完全破壞）。
3）、因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱，使MOS管受傷，雖仍能工作，但是壽命受損。
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