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  • MOSFET-MOSFET和符號(hào)圖文解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-05-18 17:54:22
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    MOSFET-MOSFET和符號(hào)圖文解析
    MOSFET與符號(hào)詳解,MOSFET是很常用的一個(gè)器件,可以起到“導(dǎo)通”“截止”的狀態(tài),大量的用在電源處理中。先從量上來說,NMOS器件是比PMOS要更常見,因?yàn)镻MOS開關(guān)慢,電壓高,很費(fèi)勁。如果能找到源柵漏這幾個(gè)標(biāo)注,可以通過寄生二極管的方向來做判斷。
    今天寫一下,MOS管電路符號(hào)和寄生二極管方向,和半導(dǎo)體類型的對應(yīng)關(guān)系。
    NMOS和PMOS,都是MOS管的一種類型。MOS,叫金屬氧化物半導(dǎo)體。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    氧化物是一個(gè)絕緣介質(zhì),氧化物上下兩側(cè)都是金屬,那就是一個(gè)電容。
    氧化物其中一側(cè)是半導(dǎo)體,另一側(cè)是金屬,其實(shí)也是一個(gè)電容。
    如果給MOS的M金屬側(cè)加正電荷,那挨著介質(zhì)的一側(cè)就會(huì)被感應(yīng)出負(fù)電荷。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    一般半導(dǎo)體是一個(gè)體結(jié)構(gòu),標(biāo)注為block,B,看電路符號(hào)都是有個(gè)箭頭,那個(gè)箭頭表示了電子被感應(yīng)的方向。上圖金屬正電荷,在介質(zhì)靠近金屬的地方,感應(yīng)出很多電子。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    繼續(xù)設(shè)計(jì)這個(gè)結(jié)構(gòu),兩側(cè)做成n型半導(dǎo)體,n型半導(dǎo)體里邊是有自由電子。MOS管加電壓,感應(yīng)吸附自由電子靠近氧化物,這些自由電子就把兩側(cè)的n型半導(dǎo)體導(dǎo)通了的。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    金屬氧化物半導(dǎo)體,不加電,兩側(cè)半導(dǎo)體不導(dǎo)通。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    MOS,控制兩側(cè)N型半導(dǎo)體是否導(dǎo)通,這是個(gè)NMOS,那底下的襯底就要做成P型半導(dǎo)體。在電路符號(hào)里,就會(huì)看到這么標(biāo)注。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    襯底做成P型,是在無電壓的情況下,源和漏是一對兒背靠背的二極管,能夠穩(wěn)定截止。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    綜合一下,NMOS的電路符號(hào)是這樣的。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    一般咱們適用的MOS管,并不會(huì)做成四個(gè)電極,而是會(huì)吧體電極與源合并。
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    小結(jié)一下NMOS:
    ① MOS中金屬加正電壓,底部感應(yīng)出電子
    ② 自由電子,導(dǎo)通兩側(cè)的n型半導(dǎo)體
    ③ 零電壓時(shí),源漏之間是反向截止二極管。
    同理,下圖PMOS
    ① MOS中金屬加負(fù)電壓,底部感應(yīng)出空穴,(下頭的箭頭,是電子的方向,空穴流向氧化物邊緣,電子則會(huì)遠(yuǎn)離)
    ② 空穴增多,導(dǎo)通兩側(cè)的p型半導(dǎo)體,(P型半導(dǎo)體也是有空穴)
    ③ 零電壓時(shí),源漏之間是反向截止二極管。(PMOS源漏之間的電壓和PN結(jié)的電壓,通通都和NMOS反向。依然是截止。)
    MOSFET,MOSFET與符號(hào)
    但凡可以看到源漏標(biāo)注,就可以通過寄生電壓的方式來判別是nmos還是pmos。
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