CMOS電路的最末級(jí)，通常是用顯現(xiàn)器顯現(xiàn)，或者介入繼電器控制大電流，或者向遠(yuǎn)處傳送信號(hào)等，很少?zèng)]有不借助晶體管的。
但是，在與這個(gè)晶體管接口時(shí)的困難不測(cè)地多。例如，由于與晶體管的基極連接的電阻過(guò)于小，從CMOS引出過(guò)大電流；或者電阻過(guò)大，使晶體管無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
下面對(duì)各種場(chǎng)所與晶體管的接口作以說(shuō)明。
(1)發(fā)射極接地NPN晶體管→CMOS：圖l3.35(a)一(c)示出同～電源下，Vcc>VDD，Vcc
(2)射極跟隨器NPN晶體管→CMOS：與(1)的情況相反，在“L”電平常容易混入噪聲，存在從“L”向“H”時(shí)容易產(chǎn)生延遲的缺陷。圖13.36(a)一(c)示出接口例。
(3)發(fā)射極接地PNP晶體管→CMOS：如圖13. 37(a)所示，在降落時(shí)有延遲，在“L”電平要留意噪聲。
(4)射極跟隨器PNP晶體管→CMOS:其例子示于圖13. 37(b)。與(3)的情況相反，上升時(shí)產(chǎn)生延遲，“H”電平抗噪聲才干弱。
(5)互補(bǔ)電路→CMOS：在(1)～(4)的電路中，當(dāng)晶體管個(gè)CMOS的布線(xiàn)變長(zhǎng)時(shí)，在“H”或者“L”電平，噪聲容易混入，由于布線(xiàn)電容而增大延遲時(shí)間。由于這些缺陷，所以對(duì)布線(xiàn)的長(zhǎng)度有限制。這種情況下，運(yùn)用圖13.38所示的互補(bǔ)電路使阻抗降落，關(guān)于改善噪聲和延遲時(shí)間有效果。
(6) CMOS→NPN晶體管：CM0S的輸出端由于負(fù)載過(guò)重而招致電流缺乏，或者耐壓缺乏的場(chǎng)所，需求這種接口。
由于經(jīng)過(guò)CMOS的p溝FET流出的電流(IOH)變成晶體管的基極電流，所以能夠驅(qū)動(dòng)它的hfe的電流。進(jìn)而在驅(qū)動(dòng)大負(fù)載的場(chǎng)所，運(yùn)用達(dá)林頓晶體管。
圖13. 39示出NPN晶體管驅(qū)動(dòng)電路的例子。
(7) CMOS→PNP晶體管：圖13. 40示出電路例。
(8) CMOS→互補(bǔ)電路：將CMOS電路的信號(hào)向遠(yuǎn)方傳送的場(chǎng)所，如前所述，為了抗噪聲、防止布線(xiàn)電容惹起的延遲，應(yīng)該采用互補(bǔ)電路。其接口例子示于圖13. 41。
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